maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / HYB18T1G800BF-3S
Référence fabricant | HYB18T1G800BF-3S |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HYB18T1G800BF-3S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MX25xxx05/06 |
HYB18T1G800BF-3S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 86MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 300µs, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HYB18T1G800BF-3S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HYB18T1G800BF-3S-FT |
BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L080F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L160F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L640F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L66RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L76RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L86RFVM-WTR
Rohm Semiconductor
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel