maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUFA75345G3
Référence fabricant | HUFA75345G3 |
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Numéro de pièce future | FT-HUFA75345G3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUFA75345G3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 325W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75345G3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUFA75345G3-FT |
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050HS
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GP1M007A090H
Global Power Technologies Group
GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel