maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUF75329G3
Référence fabricant | HUF75329G3 |
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Numéro de pièce future | FT-HUF75329G3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUF75329G3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 49A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 128W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75329G3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUF75329G3-FT |
GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
Global Power Technologies Group
GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation