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Honeywell Aerospace HTNFET-DC

Name: HTNFET-DC
Brand: Honeywell Aerospace
SKU: HTNFET-DC
Price: 324.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (345 reviews)

Numéro de pièce MFG: HTNFET-DC

quantité disponible: 42100 Pièces

Prix de référence: USD 324.8

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Honeywell Aerospace

Brève description: HTMOS™ MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HTNFET-DC.pdf

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HTNFET-DC Caractéristiques

Référence fabricant	HTNFET-DC
Numéro de pièce future	FT-HTNFET-DC
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HTMOS™
HTNFET-DC Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Vgs (Max)	10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tj)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	-
Paquet / caisse	8-CDIP Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HTNFET-DC Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HTNFET-DC-FT

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