maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-8209-TR2G
Référence fabricant | HSMS-8209-TR2G |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-8209-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-8209-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Cross Over |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | 75mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8209-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-8209-TR2G-FT |
BAR 88-02V E6127
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BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
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BAR6303WE6327HTSA1
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BA592E6327HTSA1
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BAR6403WE6327HTSA1
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BAR6503WE6327HTSA1
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BAT1503WE6327HTSA1
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BA 595 B6327
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BA592E6433HTMA1
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LFEC3E-3T100C
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