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Référence fabricant | HSMS-281E-TR2G |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-281E-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-281E-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 20V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-281E-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-281E-TR2G-FT |
1N5711W-7-F
Diodes Incorporated
1N5711W-13
Diodes Incorporated
1N5711W-7
Diodes Incorporated
CPINUC5206-HF
Comchip Technology
HSMS-282B-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5822-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5822-TR1G
Broadcom Limited
ASML-5822-TR2G
Broadcom Limited
ASML-5829-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5829-TR1G
Broadcom Limited
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation