maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5711W-13
Référence fabricant | 1N5711W-13 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5711W-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5711W-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 70V |
Courant - Max | 15mA |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 333mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711W-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5711W-13-FT |
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
BAR5003WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6203WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 892 E6127
Infineon Technologies
BA 892 E6327
Infineon Technologies
BA 892 E6433
Infineon Technologies
LCMXO2-2000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX9-3FTG256Q
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XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
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EP20K400EFI672-2N
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EP3C16U484I7N
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5SGXEA9K2H40I2N
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XC7K70T-1FB484I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation