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Référence fabricant | HSM580GE3/TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-HSM580GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSM580GE3/TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM580GE3/TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSM580GE3/TR13-FT |
1N5712UBCC
Microsemi Corporation
1N6391
Microsemi Corporation
B0520LWF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS19W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS21W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
IDP1301GXUMA1
Infineon Technologies
RB520G-30 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel