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Référence fabricant | HSM580GE3/TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-HSM580GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSM580GE3/TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM580GE3/TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSM580GE3/TR13-FT |
1N5712UBCC
Microsemi Corporation
1N6391
Microsemi Corporation
B0520LWF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS19W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS21W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
IDP1301GXUMA1
Infineon Technologies
RB520G-30 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
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AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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