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Référence fabricant | BAS20W RVG |
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Numéro de pièce future | FT-BAS20W RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS20W RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS20W RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS20W RVG-FT |
MDO500-18N1
IXYS
MDO500-20N1
IXYS
RGL41KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHM3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5GD1-13
Diodes Incorporated
UF5JD1-13
Diodes Incorporated
UGE0221AY4
IXYS
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation