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Référence fabricant | HS3M V6G |
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Numéro de pièce future | FT-HS3M V6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS3M V6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3M V6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS3M V6G-FT |
SS26HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3AHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel