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Référence fabricant | ES3DVHM6G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3DVHM6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES3DVHM6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DVHM6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3DVHM6G-FT |
ES2AHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2C M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DV M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DV R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DVHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DVHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2F R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
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5SEEBF45I3N
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5SGXEA5K3F35I3N
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XC4013XL-1BG256I
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XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation