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Référence fabricant | HS1ML RFG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1ML RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1ML RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1ML RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1ML RFG-FT |
ES1FLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel