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Référence fabricant | HS1ML MQG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1ML MQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1ML MQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1ML MQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1ML MQG-FT |
ES1FL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel