Référence fabricant | HS1DFL |
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Numéro de pièce future | FT-HS1DFL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1DFL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123F |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123FL |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DFL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1DFL-FT |
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL12HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel