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Référence fabricant | HQCCWM3R9BAH6A |
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Numéro de pièce future | FT-HQCCWM3R9BAH6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Hi-Q® |
HQCCWM3R9BAH6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.9pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 2500V (2.5kV) |
Coéfficent de température | P90 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR, High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 2325 (5864 Metric) |
Taille / Dimension | 0.230" L x 0.250" W (5.84mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.145" (3.68mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HQCCWM3R9BAH6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HQCCWM3R9BAH6A-FT |
HQCEMM3R9BAH6A
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HQCEJM221GAH6A
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A40MX02-1VQG80M
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5SGXMA5N3F45C3N
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XC5VLX155-3FFG1760C
Xilinx Inc.
AGL250V2-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ100
Microsemi Corporation
LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN1156I
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10M16DCU324C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
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