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ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A

Name: HGTD3N60C3S9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTD3N60C3S9A
Availability: InStock
Rating: 4.9 (778 reviews)

Numéro de pièce MFG: HGTD3N60C3S9A

quantité disponible: 76830 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HGTD3N60C3S9A.pdf

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HGTD3N60C3S9A Caractéristiques

Référence fabricant	HGTD3N60C3S9A
Numéro de pièce future	FT-HGTD3N60C3S9A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HGTD3N60C3S9A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	6A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 3A
Puissance - Max	33W
Énergie de commutation	85µJ (on), 245µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	10.8nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
Condition de test	480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD3N60C3S9A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HGTD3N60C3S9A-FT

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