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ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
- Numéro de pièce MFG
- HGTD1N120BNS9A
- quantité disponible
- 16530 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.546592
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Simples
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- HGTD1N120BNS9A.pdf
HGTD1N120BNS9A Caractéristiques
| Référence fabricant | HGTD1N120BNS9A |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-HGTD1N120BNS9A |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| HGTD1N120BNS9A Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | NPT |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5.3A |
| Courant - collecteur pulsé (Icm) | 6A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Puissance - Max | 60W |
| Énergie de commutation | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de la porte | 14nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 15ns/67ns |
| Condition de test | 960V, 1A, 82 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-252AA |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTD1N120BNS9A Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | HGTD1N120BNS9A-FT |
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