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ON Semiconductor HGT1S12N60A4S9A

Numéro de pièce MFG
HGT1S12N60A4S9A
quantité disponible
76280 Pièces
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HGT1S12N60A4S9A.pdf
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HGT1S12N60A4S9A Caractéristiques

Référence fabricant HGT1S12N60A4S9A
Numéro de pièce future FT-HGT1S12N60A4S9A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGT1S12N60A4S9A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Puissance - Max 167W
Énergie de commutation 55µJ (on), 50µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 78nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns
Condition de test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S12N60A4S9A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGT1S12N60A4S9A-FT

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