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ON Semiconductor HGTP12N60C3D

Numéro de pièce MFG
HGTP12N60C3D
quantité disponible
62710 Pièces
Prix de référence
USD 3.16
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HGTP12N60C3D.pdf
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HGTP12N60C3D Caractéristiques

Référence fabricant HGTP12N60C3D
Numéro de pièce future FT-HGTP12N60C3D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGTP12N60C3D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 24A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Puissance - Max 104W
Énergie de commutation 380µJ (on), 900µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 48nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) 40ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-220-3
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP12N60C3D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGTP12N60C3D-FT

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