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ON Semiconductor HGT1S10N120BNS

Numéro de pièce MFG
HGT1S10N120BNS
quantité disponible
12830 Pièces
Prix de référence
USD 2.621888
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HGT1S10N120BNS.pdf
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HGT1S10N120BNS Caractéristiques

Référence fabricant HGT1S10N120BNS
Numéro de pièce future FT-HGT1S10N120BNS
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGT1S10N120BNS Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max 298W
Énergie de commutation 320µJ (on), 800µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 100nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns
Condition de test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNS Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGT1S10N120BNS-FT

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