maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / HFA3102BZ96
Référence fabricant | HFA3102BZ96 |
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Numéro de pièce future | FT-HFA3102BZ96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HFA3102BZ96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 6 NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 10GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Gain | 12.4dB ~ 17.5dB |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 14-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA3102BZ96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HFA3102BZ96-FT |
NE68833-T1-A
CEL
NE85633-R23-A
CEL
NE85633-R24-A
CEL
NE85633-R25-A
CEL
NE85633-T1B
CEL
NE85633-T1B-A
CEL
NE85633-T1B-R23-A
CEL
NE85633-T1B-R24-A
CEL
NE85633-T1B-R25-A
CEL
NE85633L-A
CEL
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation