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Référence fabricant | HER201G R0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER201G R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER201G R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AC (DO-15) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER201G R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER201G R0G-FT |
MBR1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1645HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel