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Référence fabricant | HER157G R0G |
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Numéro de pièce future | FT-HER157G R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER157G R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AC, DO-15, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AC (DO-15) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER157G R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER157G R0G-FT |
MBR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1635HC0G
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MBR1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MBR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel