maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HBAT-540B-TR1G
Référence fabricant | HBAT-540B-TR1G |
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Numéro de pièce future | FT-HBAT-540B-TR1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HBAT-540B-TR1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 430mA |
Capacité @ Vr, F | - |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 825mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HBAT-540B-TR1G-FT |
BA892H6127XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
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BA892H6770XTSA1
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BA895H6327XTSA1
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BAR 63-02W E6127
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BAR 63-02W E6327
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BAR 63-02W E6433
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BAR 63-02W H6433
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BAR6302WH6327XTSA1
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LFEC3E-3T100C
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