maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR 63-02W E6127
Référence fabricant | BAR 63-02W E6127 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR 63-02W E6127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR 63-02W E6127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SCD-80 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 63-02W E6127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR 63-02W E6127-FT |
MA4PH237-1079T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P7104F-1072T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P506-1072T
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MA4P7001F-1072T
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MA4P505-1072T
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MA4P1250-1072T
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MA4P7102F-1072T
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MADP-000235-10720T
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MA4P504-1072T
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MA4PH235-1072T
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A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
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10M04DAF256A7G
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EP4SGX180KF40I3N
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XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
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LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F29E1SG
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