maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4P7102F-1072T
Référence fabricant | MA4P7102F-1072T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MA4P7102F-1072T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4P7102F-1072T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Résistance @ Si, F | 500 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 11.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-SMD |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7102F-1072T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4P7102F-1072T-FT |
1PS66SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP55LX,315
NXP USA Inc.
BAP1321LX,315
NXP USA Inc.
BAP51L,315
NXP USA Inc.
BAP55L,315
NXP USA Inc.
BA891,115
NXP USA Inc.
BAP64-02,115
NXP USA Inc.
1PS79SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP51-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
10AX090N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F31C4N
Intel