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Renesas Electronics America HAT2174H-EL-E
- Numéro de pièce MFG
- HAT2174H-EL-E
- quantité disponible
- 71520 Pièces
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- fabricant
- Renesas Electronics America
- Brève description
- - MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- HAT2174H-EL-E.pdf
HAT2174H-EL-E Caractéristiques
| Référence fabricant | HAT2174H-EL-E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-HAT2174H-EL-E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| HAT2174H-EL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2280pF @ 10V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | LFPAK |
| Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HAT2174H-EL-E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | HAT2174H-EL-E-FT |
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