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Renesas Electronics America H5N2307LSTL-E

Name: H5N2307LSTL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: H5N2307LSTL-E
Availability: InStock
Rating: 4.6 (310 reviews)

Numéro de pièce MFG: H5N2307LSTL-E

quantité disponible: 13840 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: * MOSFET N-CH HS SW TO-263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: H5N2307LSTL-E.pdf

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H5N2307LSTL-E Caractéristiques

Référence fabricant	H5N2307LSTL-E
Numéro de pièce future	FT-H5N2307LSTL-E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	*
H5N2307LSTL-E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Last Time Buy
Type de FET	-
La technologie	-
Drain à la tension source (Vdss)	-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Paquet / caisse	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H5N2307LSTL-E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	H5N2307LSTL-E-FT

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