maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11B2S(TB)-V
Référence fabricant | H11B2S(TB)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11B2S(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11B2S(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 1mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 25µs, 18µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B2S(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11B2S(TB)-V-FT |
CNY17F-3S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S1(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17F-4S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11A1S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EPF6016ATC144-2N
Intel
A3P250-1FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQ208I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3SG
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel