maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17F-3S1(TB)-V
Référence fabricant | CNY17F-3S1(TB)-V |
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Numéro de pièce future | FT-CNY17F-3S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17F-3S1(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 200% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.65V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F-3S1(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17F-3S1(TB)-V-FT |
4N32S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N32S(TB)-V
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4N32S1(TA)
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4N32S1(TA)-V
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4N32S1(TB)
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4N32S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N33S(TA)
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4N33S(TA)-V
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4N33S(TB)
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4N33S(TB)-V
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XC6SLX100T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FT256I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
EP2AGX45CU17C4N
Intel
EP20K400EBC652-1N
Intel