maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N33S(TA)-V
Référence fabricant | 4N33S(TA)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N33S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N33S(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 100µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N33S(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N33S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-2000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1200E-4FGG400I
Xilinx Inc.
EPF6010ANTC100-2
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C55U484C7
Intel
EPF10K50EFC484-3N
Intel
LFEC3E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA7F23C8N
Intel
EP20K400BC652-2AA
Intel