maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N33S(TA)-V
Référence fabricant | 4N33S(TA)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N33S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N33S(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 5µs, 100µs (Max) |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 55V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N33S(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N33S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO640E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
AT40K10AL-1AQC
Microchip Technology
EP20K600EFC672-3N
Intel
5SGXEA4K2F40I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-2
Intel