maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A2S1(TB)
Référence fabricant | H11A2S1(TB) |
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Numéro de pièce future | FT-H11A2S1(TB) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A2S1(TB) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A2S1(TB) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A2S1(TB)-FT |
4N36S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TB)-V
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4N36S1(TA)
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4N36S1(TA)-V
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4N36S1(TB)
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4N36S1(TB)-V
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4N37S(TA)
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4N37S(TA)-V
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4N37S(TB)
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XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
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A3P250-1PQG208I
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10AX057K2F35E1SG
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