maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / H11A1300W
Référence fabricant | H11A1300W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-H11A1300W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
H11A1300W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5300Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 100mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1300W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | H11A1300W-FT |
CNY17-4-W60E
Broadcom Limited
4N32TVM
ON Semiconductor
CNY17F3TVM
ON Semiconductor
H11AA1TVM
ON Semiconductor
4N25300W
ON Semiconductor
4N25TM
ON Semiconductor
4N25TVM
ON Semiconductor
4N25W
ON Semiconductor
4N26TM
ON Semiconductor
4N26TVM
ON Semiconductor
EPF6016ATC144-2N
Intel
A3P250-1FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQ208I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3SG
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel