maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N25TVM
Référence fabricant | 4N25TVM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N25TVM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N25TVM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N25TVM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N25TVM-FT |
FODM2705R2V
ON Semiconductor
FODM121V
ON Semiconductor
FODB100
ON Semiconductor
FOD852S
ON Semiconductor
FOD817D3SD
ON Semiconductor
FOD817D3S
ON Semiconductor
FOD817BSD
ON Semiconductor
FOD817B3S
ON Semiconductor
FOD817B3SD
ON Semiconductor
FOD817BS
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel