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Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)

Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT10J312(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (109 reviews)

Numéro de pièce MFG: GT10J312(Q)

quantité disponible: 95310 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: GT10J312(Q).pdf

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GT10J312(Q) Caractéristiques

Référence fabricant	GT10J312(Q)
Numéro de pièce future	FT-GT10J312(Q)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
GT10J312(Q) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	10A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max	60W
Énergie de commutation	-
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	400ns/400ns
Condition de test	300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	200ns
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur	TO-220SM
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT10J312(Q) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	GT10J312(Q)-FT

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