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Référence fabricant | GSOT15C-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GSOT15C-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSOT15C-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 2 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 16.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 28.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 345W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 90pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT15C-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSOT15C-E3-08-FT |
GL05T-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL15T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel