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Référence fabricant | GL12T-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GL12T-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GL12T-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 13.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 24V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 300W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 2.5pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL12T-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GL12T-G3-08-FT |
SMF5V0A-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF5V0A-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V0A-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V5A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMF6V5A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel