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Référence fabricant | GSOT15-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GSOT15-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GSOT15-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 16.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 28.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 230W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | 90pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT15-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSOT15-HE3-18-FT |
GL05T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12T-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel