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Référence fabricant | GPP60AHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GPP60AHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GPP60AHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | P600, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | P600 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPP60AHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GPP60AHE3/54-FT |
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel