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Référence fabricant | GPP60AHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GPP60AHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GPP60AHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | P600, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | P600 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPP60AHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GPP60AHE3/54-FT |
1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel