maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4448W-HE3-08
Référence fabricant | 1N4448W-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4448W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4448W-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 5mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448W-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4448W-HE3-08-FT |
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel