maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / GP10K-4006EHE3/54
Référence fabricant | GP10K-4006EHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-GP10K-4006EHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP10K-4006EHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP10K-4006EHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP10K-4006EHE3/54-FT |
BYD33DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33GGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33KGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33MGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10B-4002HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-4006HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13JGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel