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Référence fabricant | BYD13DGPHE3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-BYD13DGPHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYD13DGPHE3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYD13DGPHE3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYD13DGPHE3/54-FT |
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP10C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB140-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF4001-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF4006-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4936GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5819-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel