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Référence fabricant | GLF1608T1R0M |
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Numéro de pièce future | FT-GLF1608T1R0M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GLF |
GLF1608T1R0M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | 125mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 221 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | - |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GLF1608T1R0M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GLF1608T1R0M-FT |
DFE252012F-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-R47M=P2
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DFE252012F-R68M=P2
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DFE252012F-100M=P2
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DFE252012F-1R5M=P2
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DFE252012F-6R8M=P2
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DFE252012F-R33M=P2
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DFE252012F-R82M=P2
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DFE252012F-3R3M=P2
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel