maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GHXS030A060S-D1
Référence fabricant | GHXS030A060S-D1 |
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Numéro de pièce future | FT-GHXS030A060S-D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHXS030A060S-D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS030A060S-D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHXS030A060S-D1-FT |
VUO82-14NO7
IXYS
VUO82-18NO7
IXYS
VUO62-16NO7
IXYS
VBO52-14NO7
IXYS
VBO72-14NO7
IXYS
VUO82-16NO7
IXYS
VUO55-12NO7
IXYS
VUO50-16NO3
IXYS
VUO50-12NO3
IXYS
VUO35-18NO7
IXYS
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
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EP2SGX90FF1508I4
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