maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ8V2B-HG3-18
Référence fabricant | GDZ8V2B-HG3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ8V2B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ8V2B-HG3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ8V2B-HG3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ8V2B-HG3-18-FT |
GDZ36B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ36B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGXEA7K3F40I3
Intel
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3SG
Intel