maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ6V2B-HG3-18
Référence fabricant | GDZ6V2B-HG3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ6V2B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V2B-HG3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V2B-HG3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ6V2B-HG3-18-FT |
GDZ2V7B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
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LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
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