maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ4V7B-E3-08
Référence fabricant | GDZ4V7B-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ4V7B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ4V7B-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ4V7B-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ4V7B-E3-08-FT |
GDZ27B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel