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Référence fabricant | GDZ13B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ13B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ13B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 37 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 10V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ13B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ13B-HE3-18-FT |
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C4V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel
10AX016E3F29E1HG
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel