maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C4V3-G3-18
Référence fabricant | BZX384C4V3-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C4V3-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C4V3-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C4V3-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C4V3-G3-18-FT |
BZX384C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C15-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel