maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GC2X20MPS12-247
Référence fabricant | GC2X20MPS12-247 |
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Numéro de pièce future | FT-GC2X20MPS12-247 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GC2X20MPS12-247 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 90A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 20A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 18µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GC2X20MPS12-247 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GC2X20MPS12-247-FT |
GSXD060A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A040S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF120A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel